蘋(píng)果和英特爾率先使用臺(tái)積電 3nm

據(jù)報(bào)道蘋(píng)果和英特爾將成為臺(tái)積電 3nm 工藝的第一批客戶，英特爾確保了更高的產(chǎn)量。該工藝將于 2022 年下半年投入生產(chǎn)。

3nm工藝相比5nm，同等功率下速度提升10-15%或同等速度下功率降低25-30%，邏輯密度提升1.7倍，SRAM密度提升1.2倍模擬密度提高了 1.1 倍。

iPad 將率先獲得 3nm 芯片，下一代 iPhone 將采用 4nm 半節(jié)點(diǎn)。

據(jù)說(shuō)英特爾最初將 3nm 節(jié)點(diǎn)用于筆記本電腦處理器和數(shù)據(jù)中心 CPU。

預(yù)計(jì) 3nm 工藝的另一個(gè)早期采用者是 Bristol 的 Graphcore，該公司正在使用該工藝制造包含超過(guò) 1000 億個(gè)晶體管的處理器。

英特爾已將其 7nm 工藝推遲到 2023 年， Scotten Jones 表示：“英特爾的 7nm 工藝預(yù)計(jì)將擁有 4.3nm 的臺(tái)積電等效節(jié)點(diǎn)。英特爾的 7nm 工藝在密度上介于臺(tái)積電的 5nm 和 3nm 工藝之間。”

Jones 還表示“如果英特爾能夠在 10 年中期以 2 倍的密度改進(jìn)恢復(fù)到兩年的節(jié)點(diǎn)節(jié)奏，那么它們的密度大致可以與臺(tái)積電持平，”

英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 表示，他規(guī)定節(jié)點(diǎn)遷移周期為一年。

至于性能，Jones 估計(jì)：“我的預(yù)期是英特爾的 7nm 工藝將在性能基礎(chǔ)上與臺(tái)積電的 3nm 工藝競(jìng)爭(zhēng)。”

此外，AMD 計(jì)劃明年在其筆記本處理器中采用臺(tái)積電的 5nm 芯片工藝。

英偉達(dá)的首款服務(wù)器 CPU 芯片將于 2023 年推出，將采用臺(tái)積電的 5nm 工藝。